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| 參數 | 參數值 |
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包裝
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標準卷帶
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系列
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U-MOSVIII-H
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零件狀態
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有源
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FET 類型
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N 通道
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技術
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MOSFET(金屬氧化物)
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漏源電壓(Vdss)
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60V
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電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
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40A(Ta)
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驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
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4.5V,10V
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不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
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6.7 毫歐 @ 20A,10V
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不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
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2.5V @ 300μA
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不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
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35nC @ 10V
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Vgs(最大值)
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±20V
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不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
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2000pF @ 10V
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FET 功能
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-
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功率耗散(最大值)
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840mW(Ta),100W(Tc)
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工作溫度
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175°C
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應商器件封裝
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8-TSON Advance-WF(3.1x3.1)
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封裝/外殼
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8-PowerVDFN
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| 圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 55V 77A TO-262
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暫無價格
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參考庫存:43461
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
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暫無價格
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參考庫存:43469
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
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暫無價格
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參考庫存:43477
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FET,MOSFET - 單個
|
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
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暫無價格
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參考庫存:43485
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|
FET,MOSFET - 單個
|
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
|
暫無價格
|
參考庫存:43493
|

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