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BQ4011MA-200

  • Texas Instruments
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  • IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術(shù)
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
256Kb (32K x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
200ns
訪問時間
200ns
電壓 - 電源
4.75V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)
供應(yīng)商器件封裝
28-DIP 模塊(18.42x37.72)
商品其它信息
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存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
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