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存儲器
CY7C1460KVE25-200BZXI參考圖片

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CY7C1460KVE25-200BZXI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
NoBL?
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步，SDR
存儲容量
36Mb （1M x 36）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
3.2ns
電壓 - 電源
2.375V ~ 2.625V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-FBGA（15x17）
商品其它信息
優勢價格，CY7C1460KVE25-200BZXI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC
暫無價格
參考庫存:35019
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
暫無價格
參考庫存:35027
存儲器
IC FLASH NOR
暫無價格
參考庫存:35035
存儲器
IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA
暫無價格
參考庫存:35043
存儲器
IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
暫無價格
參考庫存:35051
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