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TH58NYG3S0HBAI6

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
FLASH - NAND（SLC）
存儲容量
8Gb （1G x 8）
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
67-VFBGA
供應商器件封裝
67-VFBGA（6.5x8）
商品其它信息
優(yōu)勢價格，TH58NYG3S0HBAI6的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
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存儲器
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暫無價格
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:29984
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:29992
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