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存儲器
CY7C1911UV18-300BZC參考圖片

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CY7C1911UV18-300BZC

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參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步，QDR II
存儲容量
18Mb （2M x 9）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
300MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-FBGA（13x15）
商品其它信息
優勢價格，CY7C1911UV18-300BZC的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 8G PARALLEL
暫無價格
參考庫存:33796
存儲器
IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP
暫無價格
參考庫存:33812
存儲器
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:33820
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MICROPOWER SRAM
暫無價格
參考庫存:33828
存儲器
IC EEPROM 4K SPI 20MHZ 8SO
暫無價格
參考庫存:33836
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