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存儲器
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TH58BYG2S3HBAI6

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
Benand?
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
FLASH - NAND(SLC)
存儲容量
4Gb (512M x 8)
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字,頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
67-VFBGA
供應商器件封裝
67-VFBGA(6.5x8)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA
暫無價格
參考庫存:32267
存儲器
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
暫無價格
參考庫存:32275
存儲器
IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
暫無價格
參考庫存:32283
存儲器
IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA
暫無價格
參考庫存:32291
存儲器
IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA
暫無價格
參考庫存:32299
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