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存儲器
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W987D6HBGX6E TR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - 移動 LPSDR
存儲容量
128Mb （8M x 16）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
166MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
5.4ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-25°C ~ 85°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
54-TFBGA
供應商器件封裝
54-VFBGA（8x9）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
暫無價格
參考庫存:25652
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:25660
存儲器
4KB I2C EEPROM 1MHZ 1.7-5.5V 8-T
暫無價格
參考庫存:25668
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
暫無價格
參考庫存:25676
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
暫無價格
參考庫存:25684
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