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硅電容器

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935174730410-T3A

  • Murata Electronics
  • 最新
  • AUTOMOTIVE SI CAP 1NF , -55/+200
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
ATSC
零件狀態
有源
電容
1nF
容差
±15%
電壓 - 擊穿
30V
ESR(等效串聯電阻)
30V
ESL(等效串聯電感)
-
應用
高穩定性,高溫,引線鍵合和嵌入式
特性
-
工作溫度
-55°C ~ 200°C
封裝/外殼
0202(0505 公制)
高度
0.012"(0.30mm)
大小/尺寸
0.025" 長 x 0.025" 寬(0.63mm x 0.63mm)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
硅電容器
CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0402
暫無價格
參考庫存:32628
硅電容器
CAP SILICON 2.7PF 50V 0402
暫無價格
參考庫存:32636
硅電容器
CAP SILICON 1.8PF 50V 0402
暫無價格
參考庫存:32644
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ULTRA BROADBAND SILICON CAPACITO
暫無價格
參考庫存:32660
硅電容器
XTREM BROADBAND LOW PROFILE SILI
暫無價格
參考庫存:32668
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