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雙極性晶體管（BJT）- 單個
2SAR586D3TL1參考圖片

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2SAR586D3TL1

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
5A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
80V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值）
320mV @ 100mA，2A
電流 - 集電極截止（最大值）
1μA（ICBO）
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
120 @ 500mA，3V
功率 - 最大值
10W
頻率 - 躍遷
200MHz
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
TO-252
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS PNP 45V 1A SOT223
暫無價格
參考庫存:54682
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 12V TO-18
暫無價格
參考庫存:54698
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 275V 10A TO-3
暫無價格
參考庫存:54706
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 400V 4A TO-220
暫無價格
參考庫存:54722
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS PNP 60V 0.6A SOT-223
暫無價格
參考庫存:54730
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