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產(chǎn)品分類

UGBT、MOSFET - 單
HGT1S7N60C3DS9A參考圖片

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HGT1S7N60C3DS9A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 14A 60W TO263AB
  • 數(shù)據(jù)手冊下載
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
14A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
56A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2V @ 15V,7A
功率 - 最大值
60W
開關(guān)能量
165μJ(開),600μJ(關(guān))
輸入類型
標準
柵極電荷
23nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值
-
測試條件
480V,7A,50歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
37ns
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
優(yōu)勢價格,HGT1S7N60C3DS9A的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 32A 350W PLUS247
暫無價格
參考庫存:40862
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
暫無價格
參考庫存:40870
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 50A 200W TO247
暫無價格
參考庫存:40878
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
暫無價格
參考庫存:40886
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TH
暫無價格
參考庫存:40894
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