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UGBT、MOSFET - 單
FGB30N6S2D參考圖片

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FGB30N6S2D

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 45A 167W TO263AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
45A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
108A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 15V，12A
功率 - 最大值
167W
開關能量
55μJ（開），100μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
23nC
25°C 時 Td（開/關）值
6ns/40ns
測試條件
390V，12A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
46ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO220
暫無價格
參考庫存:43564
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 150W TO268
暫無價格
參考庫存:43572
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
暫無價格
參考庫存:43580
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 13A 60W TO220AB
暫無價格
參考庫存:43596
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
暫無價格
參考庫存:43604
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