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UGBT、MOSFET - 單

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AIHD04N60RATMA1

制造商:Infineon Technologies
批號:最新
描述:IC DISCRETE 600V TO252-3
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參數信息

參數	參數值
包裝	標準卷帶
系列	-
零件狀態	有源
IGBT 類型	溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）	600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）	8A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)	12A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）	2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值	75W
開關能量	90μJ（開），150μJ（關）
輸入類型	標準
柵極電荷	27nC
25°C 時 Td（開/關）值	14ns/146ns
測試條件	400V，4A，43 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）	400V，4A，43 歐姆，15V
工作溫度	-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型	表面貼裝型
封裝/外殼	TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝	PG-TO252-3

商品其它信息

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推薦型號

圖片	型號	制造商	分類	數據手冊	描述	參考價格	庫存數量
	TIG052TS-TL-E	ON Semiconductor	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 400V 8TSSOP	暫無價格	參考庫存:32158
	NGTB30N60FWG	ON Semiconductor	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 600V 60A 167W TO247	暫無價格	參考庫存:32166
	AUIRGS4062D1TRL	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 600V 59A 246W D2PAK	暫無價格	參考庫存:32174
	GPA020A135MN-FD	SemiQ	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 1350V 40A 223W TO3PN	暫無價格	參考庫存:32182
	IRG4PC30KD	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 600V 28A 100W TO247AC	暫無價格	參考庫存:32190

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