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UGBT、MOSFET - 單
IKB03N120H2ATMA1參考圖片

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IKB03N120H2ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
最後搶購
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
9.6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
9.9A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.8V @ 15V，3A
功率 - 最大值
62.5W
開關能量
290μJ
輸入類型
標準
柵極電荷
22nC
25°C 時 Td（開/關）值
9.2ns/281ns
測試條件
800V，3A，82 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
42ns
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 48A 150W TO247
暫無價格
參考庫存:36906
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 440V 15A 107W DPAK
暫無價格
參考庫存:36914
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
暫無價格
參考庫存:36922
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 31A 208W D2PAK
暫無價格
參考庫存:36930
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP
暫無價格
參考庫存:36938
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