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UGBT、MOSFET - 單
APT33GF120B2RDQ2G參考圖片

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APT33GF120B2RDQ2G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
64A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
75A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
3V @ 15V，25A
功率 - 最大值
357W
開關能量
1.315mJ（開），1.515mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
170nC
25°C 時 Td（開/關）值
14ns/185ns
測試條件
800V，25A，4.3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
800V，25A，4.3 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3 變式
供應商器件封裝
TO-247-3 變式
商品其它信息
優勢價格，APT33GF120B2RDQ2G的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 56A 170W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:37170
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO-247
暫無價格
參考庫存:37178
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 231W TO3PN
暫無價格
參考庫存:37186
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 200W TO247
暫無價格
參考庫存:37194
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 42A 184W TO220
暫無價格
參考庫存:37202
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