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UGBT、MOSFET - 單
STGD3NB60HDT4參考圖片

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STGD3NB60HDT4

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
PowerMESH?
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
10A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
24A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.8V @ 15V,3A
功率 - 最大值
50W
開關能量
33μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
21nC
25°C 時 Td(開/關)值
5ns/53ns
測試條件
480V,3A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
95ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應商器件封裝
DPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
POWER MOSFET TO-3
暫無價格
參考庫存:37682
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
暫無價格
參考庫存:37690
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 16A 190W TO247
暫無價格
參考庫存:37698
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
暫無價格
參考庫存:37706
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 10A 50W D2PAK
暫無價格
參考庫存:37714
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