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UGBT、MOSFET - 單
STGD3NB60HDT4參考圖片

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STGD3NB60HDT4

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
PowerMESH?
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
10A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
24A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.8V @ 15V，3A
功率 - 最大值
50W
開關能量
33μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
21nC
25°C 時 Td（開/關）值
5ns/53ns
測試條件
480V，3A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
95ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
DPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
暫無價格
參考庫存:43881
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暫無價格
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