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UGBT、MOSFET - 單
STGYA120M65DF2參考圖片

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STGYA120M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
M
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT，溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
160A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
360A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.95V @ 15V，120A
功率 - 最大值
625W
開關能量
1.8mJ（開），4.41mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
420nC
25°C 時 Td（開/關）值
66ns/185ns
測試條件
400V，120A，4.7 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
202ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3 裸露焊盤
供應商器件封裝
MAX247?
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1250V 30A 136W TO3PN
暫無價格
參考庫存:2507
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
暫無價格
參考庫存:1324
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 1000W PLUS247
暫無價格
參考庫存:36477
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
暫無價格
參考庫存:1504
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 45A TO-247
暫無價格
參考庫存:36487
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