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產(chǎn)品分類

UGBT、MOSFET - 單
FGA50N100BNTD2參考圖片

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FGA50N100BNTD2

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1000V 50A 156W TO3P
  • 數(shù)據(jù)手冊下載
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數(shù)據(jù)手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
NPT 和溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1000V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
50A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
200A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.9V @ 15V,60A
功率 - 最大值
156W
開關(guān)能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
257nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值
34ns/243ns
測試條件
600V,60A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間(trr)
75ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3,SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
優(yōu)勢價格,F(xiàn)GA50N100BNTD2的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 45A 195W TO220
暫無價格
參考庫存:35754
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
暫無價格
參考庫存:35762
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 100W TO3PF
暫無價格
參考庫存:35770
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 8A 35W TO220F
暫無價格
參考庫存:35778
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 60A 180W TO264
暫無價格
參考庫存:35786
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