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UGBT、MOSFET - 單
RGT50TM65DGC9參考圖片

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RGT50TM65DGC9

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
21A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
75A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，25A
功率 - 最大值
47W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
49nC
25°C 時 Td（開/關）值
27ns/88ns
測試條件
400V，25A，10歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
58ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商器件封裝
TO-220NFM
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 50A 600V TO-247
暫無價格
參考庫存:43484
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 60A 200W TO220
暫無價格
參考庫存:43492
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 120A 360W PLUS264
暫無價格
參考庫存:43500
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
暫無價格
參考庫存:43516
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
暫無價格
參考庫存:43524
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