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UGBT、MOSFET - 單
NGTB30N60L2WG參考圖片

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NGTB30N60L2WG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 30A TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
100A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
60A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.6V @ 15V，30A
功率 - 最大值
225W
開關能量
310μJ（開），1.14mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
166nC
25°C 時 Td（開/關）值
100ns/390ns
測試條件
300V，30A，30 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
70ns
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 9A 38W DPAK
暫無價格
參考庫存:35184
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO-247
暫無價格
參考庫存:35200
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 18A 43W TO220-3
暫無價格
參考庫存:35208
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 280W TO264
暫無價格
參考庫存:35216
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 9A 38W DPAK
暫無價格
參考庫存:35224
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