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UGBT、MOSFET - 單
IXYP20N65B3D1參考圖片

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IXYP20N65B3D1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
58A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
108A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，20A
功率 - 最大值
230W
開關能量
500μJ（開），450μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
29nC
25°C 時 Td（開/關）值
12ns/103ns
測試條件
400V，20A，20 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
25ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 90A 300W TO-247
暫無價格
參考庫存:39892
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 60W DPAK
暫無價格
參考庫存:39900
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
暫無價格
參考庫存:39908
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 160W TO3P
暫無價格
參考庫存:39916
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 150A 625W TO264
暫無價格
參考庫存:39924
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