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UGBT、MOSFET - 單

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IXXH80N65B4D1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX4?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
180A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
430A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，80A
功率 - 最大值
625W
開關能量
3.36mJ（開），1.83mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
120nC
25°C 時 Td（開/關）值
26ns/112ns
測試條件
400V，80A，3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
100ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
-
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 42A 140W TO247
暫無價格
參考庫存:18165
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 220A 536W TO-264L
暫無價格
參考庫存:38663
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:5760
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 70A 300W TO247
暫無價格
參考庫存:3530
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 36A 80W TO3PF
暫無價格
參考庫存:4917
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