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UGBT、MOSFET - 單
HGTG30N60B3參考圖片

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HGTG30N60B3

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 60A 208W TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
220A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.9V @ 15V，30A
功率 - 最大值
208W
開關能量
500μJ（開），680μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
170nC
25°C 時 Td（開/關）值
36ns/137ns
測試條件
480V，30A，3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
480V，30A，3 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 22A 66W DPAK
暫無價格
參考庫存:32818
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3
暫無價格
參考庫存:32826
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:32834
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 43A 298W TO247
暫無價格
參考庫存:32842
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 30A TO3P
暫無價格
參考庫存:32850
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