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UGBT、MOSFET - 單
FGA6560WDF參考圖片

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FGA6560WDF

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
120A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
180A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.3V @ 15V，60A
功率 - 最大值
306W
開關能量
2.46mJ（開），520μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
84nC
25°C 時 Td（開/關）值
25.6ns/71ns
測試條件
400V，60A，6 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
110ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3PN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 15A 55W DPAK
暫無價格
參考庫存:38353
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
暫無價格
參考庫存:8135
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 250W TO264
暫無價格
參考庫存:4657
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 150W TO247
暫無價格
參考庫存:38365
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK
暫無價格
參考庫存:3307
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