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UGBT、MOSFET - 單
STGF10M65DF2參考圖片

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STGF10M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
M
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
40A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，10A
功率 - 最大值
30W
開關能量
120μJ（開），270μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
28nC
25°C 時 Td（開/關）值
19ns/91ns
測試條件
400V，10A，22 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
96ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商器件封裝
TO-220FP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 400W TO247
暫無價格
參考庫存:37522
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 90A 325W TO-247
暫無價格
參考庫存:37530
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 30A TO247
暫無價格
參考庫存:37538
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 500W TO268
暫無價格
參考庫存:37546
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 11A 63W TO262
暫無價格
參考庫存:37554
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