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UGBT、MOSFET - 單
RGT30NS65DGC9參考圖片

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RGT30NS65DGC9

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
30A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
45A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，15A
功率 - 最大值
133W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
32nC
25°C 時 Td（開/關）值
18ns/64ns
測試條件
400V，15A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
55ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
供應商器件封裝
TO-262
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 74A 255W TO220-3
暫無價格
參考庫存:14283
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 21A 62.5W TO220
暫無價格
參考庫存:13985
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
暫無價格
參考庫存:44593
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 5.5A 50W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:44601
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
暫無價格
參考庫存:9728
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