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UGBT、MOSFET - 單
RGT00TS65DGC11參考圖片

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RGT00TS65DGC11

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
85A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
150A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值
277W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
94nC
25°C 時 Td(開/關)值
42ns/137ns
測試條件
400V,50A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
54ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247N
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 190W TO268
暫無價格
參考庫存:39333
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 8A 62W TO-252
暫無價格
參考庫存:39341
UGBT、MOSFET - 單
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
暫無價格
參考庫存:6438
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
暫無價格
參考庫存:4265
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 100A 330W TO247AC
暫無價格
參考庫存:4627
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