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UGBT、MOSFET - 單
STGWA50M65DF2參考圖片

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STGWA50M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
M
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
150A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值
375W
開關能量
880μJ（開），1.57mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
150nC
25°C 時 Td（開/關）值
42ns/130ns
測試條件
400V，50A，6.8 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
162ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247 長引線
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 155A 536W TO264
暫無價格
參考庫存:20455
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO247-3
暫無價格
參考庫存:9837
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
暫無價格
參考庫存:44473
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 10A TO220
暫無價格
參考庫存:14330
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
暫無價格
參考庫存:9470
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