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UGBT、MOSFET - 單
RGT8NS65DGC9參考圖片

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RGT8NS65DGC9

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
8A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
12A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
65W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
13.5nC
25°C 時 Td（開/關）值
17ns/69ns
測試條件
400V，4A，50歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
40ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
供應商器件封裝
TO-262
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 120A 298W TO247
暫無價格
參考庫存:38226
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 195W TO3P
暫無價格
參考庫存:38234
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:38242
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 300V 70A 160W TO247AC
暫無價格
參考庫存:38250
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 60A 305W TO-247AD
暫無價格
參考庫存:38258
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