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UGBT、MOSFET - 單
STGB15M65DF2參考圖片

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STGB15M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
30A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
60A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，15A
功率 - 最大值
136W
開關能量
90μJ（開），450μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
45nC
25°C 時 Td（開/關）值
24ns/93ns
測試條件
400V，15A，12 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
142ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
D2PAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 10A 50W TO220
暫無價格
參考庫存:35714
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 257W TO247
暫無價格
參考庫存:35722
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
暫無價格
參考庫存:35730
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 25A 63W LDPAK
暫無價格
參考庫存:35738
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 60A 329W TO247
暫無價格
參考庫存:35746
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