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UGBT、MOSFET - 單

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DGTD65T60S2PT

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
100A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
180A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.4V @ 15V，60A
功率 - 最大值
428W
開關能量
920μJ（開），530μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
95nC
25°C 時 Td（開/關）值
42ns/142ns
測試條件
400V，60A，7 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
205ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:11720
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 24A 104W TO247
暫無價格
參考庫存:9102
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
暫無價格
參考庫存:11412
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 238W TO-3PN
暫無價格
參考庫存:42095
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 38A 200W TO220
暫無價格
參考庫存:11692
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