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UGBT、MOSFET - 單
IXYQ40N65C3D1參考圖片

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IXYQ40N65C3D1

  • IXYS
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  • IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
180A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.35V @ 15V，40A
功率 - 最大值
300W
開關能量
830μJ（開），650μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
66nC
25°C 時 Td（開/關）值
23ns/110ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
40ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
暫無價格
參考庫存:44212
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 76A 200W TO247AD
暫無價格
參考庫存:44220
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 100A 223W TO247
暫無價格
參考庫存:44228
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 14A 60W TO263AB
暫無價格
參考庫存:44236
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
暫無價格
參考庫存:44244
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