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UGBT、MOSFET - 單
IXYK100N65B3D1參考圖片

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IXYK100N65B3D1

  • IXYS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
225A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
460A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.85V @ 15V，70A
功率 - 最大值
830W
開關能量
1.27mJ（開），2mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
168nC
25°C 時 Td（開/關）值
29ns/150ns
測試條件
400V，50A，3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
37ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商器件封裝
TO-264
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A TO247
暫無價格
參考庫存:40911
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 5A 25W TO252AA
暫無價格
參考庫存:40919
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 30A 150W TO220AB
暫無價格
參考庫存:40927
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 100A 600W TO247AD
暫無價格
參考庫存:40935
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 74A 255W PG-TO220-3
暫無價格
參考庫存:8232
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