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      UGBT、MOSFET - 單
      RGT8BM65DTL參考圖片

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      RGT8BM65DTL

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      參數信息
      參數參數值
      包裝
      標準卷帶
      系列
      -
      零件狀態
      有源
      IGBT 類型
      溝槽型場截止
      電壓 - 集射極擊穿(最大值)
      650V
      電流 - 集電極(Ic)(最大值)
      8A
      脈沖電流 - 集電極 (Icm)
      12A
      不同Vge,Ic 時的Vce(on)
      2.1V @ 15V,4A
      功率 - 最大值
      62W
      開關能量
      -
      輸入類型
      標準
      柵極電荷
      13.5nC
      25°C 時 Td(開/關)值
      17ns/69ns
      測試條件
      400V,4A,50歐姆,15V
      反向恢復時間(trr)
      40ns
      工作溫度
      -40°C ~ 175°C(TJ)
      安裝類型
      表面貼裝型
      封裝/外殼
      TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
      供應商器件封裝
      TO-252
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      推薦型號
      圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
      UGBT、MOSFET - 單
      IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
      暫無價格
      參考庫存:9196
      UGBT、MOSFET - 單
      IGBT 650V 39A TO220-3
      暫無價格
      參考庫存:6333
      UGBT、MOSFET - 單
      IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
      暫無價格
      參考庫存:4740
      UGBT、MOSFET - 單
      IGBT 600V 30A TO252-3
      暫無價格
      參考庫存:39443
      UGBT、MOSFET - 單
      IGBT 900V 165A 830W TO268
      暫無價格
      參考庫存:5192
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