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UGBT、MOSFET - 單
IXGT20N120BD1參考圖片

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IXGT20N120BD1

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 1200V 40A 190W TO268
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
100A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
3.4V @ 15V，20A
功率 - 最大值
190W
開關能量
2.1mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
72nC
25°C 時 Td（開/關）值
25ns/150ns
測試條件
960V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
40ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應商器件封裝
TO-268
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 59A 246W D2PAK
暫無價格
參考庫存:32174
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
暫無價格
參考庫存:32182
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 28A 100W TO247AC
暫無價格
參考庫存:32190
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 24A 100W TO247AD
暫無價格
參考庫存:32198
UGBT、MOSFET - 單
IC DISCRETE 600V TO252-3
暫無價格
參考庫存:32206
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