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UGBT、MOSFET - 單
IXGT20N120BD1參考圖片

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IXGT20N120BD1

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 1200V 40A 190W TO268
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
100A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
3.4V @ 15V,20A
功率 - 最大值
190W
開關能量
2.1mJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
72nC
25°C 時 Td(開/關)值
25ns/150ns
測試條件
960V,20A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
40ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
供應商器件封裝
TO-268
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
暫無價格
參考庫存:6992
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
暫無價格
參考庫存:8959
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 283W D2PAK
暫無價格
參考庫存:39169
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:16516
UGBT、MOSFET - 單
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
暫無價格
參考庫存:6268
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