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UGBT、MOSFET - 單
HGTG20N60B3D參考圖片

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HGTG20N60B3D

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 40A 165W TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2V @ 15V,20A
功率 - 最大值
165W
開關能量
475μJ(開),1.05mJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
80nC
25°C 時 Td(開/關)值
-
測試條件
-
反向恢復時間(trr)
55ns
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO247-3
暫無價格
參考庫存:8031
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1350V 80A 394W TO247
暫無價格
參考庫存:6976
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
暫無價格
參考庫存:7381
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 100A 1041W TMAX
暫無價格
參考庫存:41497
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 130A 600W TO247
暫無價格
參考庫存:41507
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