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UGBT、MOSFET - 單
IXGA20N100參考圖片

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IXGA20N100

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 1000V 40A 150W TO263
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1000V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
3V @ 15V，20A
功率 - 最大值
150W
開關能量
3.5mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
73nC
25°C 時 Td（開/關）值
30ns/350ns
測試條件
800V，20A，47 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
800V，20A，47 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263（IXGA）
商品其它信息
優勢價格，IXGA20N100的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 5A
暫無價格
參考庫存:43972
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 47A 206W TO220
暫無價格
參考庫存:43980
UGBT、MOSFET - 單
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
暫無價格
參考庫存:43988
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 360V 125W DPAK
暫無價格
參考庫存:43996
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 150W TO247AD
暫無價格
參考庫存:44004
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