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UGBT、MOSFET - 單
STGB30V60F參考圖片

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STGB30V60F

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.3V @ 15V，30A
功率 - 最大值
260W
開關能量
383μJ（開），233μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
163nC
25°C 時 Td（開/關）值
45ns/189ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，30A，10 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
D2PAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 8A 40W TO220AB
暫無價格
參考庫存:41131
UGBT、MOSFET - 單
IXGT72N60A3 TRL
暫無價格
參考庫存:19978
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 69A 417W TO247
暫無價格
參考庫存:41141
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 70A 290W TO247
暫無價格
參考庫存:8218
UGBT、MOSFET - 單
BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A
暫無價格
參考庫存:6120
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