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UGBT、MOSFET - 單
STGB30V60F參考圖片

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STGB30V60F

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.3V @ 15V,30A
功率 - 最大值
260W
開關能量
383μJ(開),233μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
163nC
25°C 時 Td(開/關)值
45ns/189ns
測試條件
400V,30A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
400V,30A,10 歐姆,15V
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應商器件封裝
D2PAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 28A 125W TO263AB
暫無價格
參考庫存:43348
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A TO3PF
暫無價格
參考庫存:43356
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 49A 160W TO247AC
暫無價格
參考庫存:43364
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 300V 70A 180W TO247AC
暫無價格
參考庫存:43372
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 178W TO247-3
暫無價格
參考庫存:43380
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