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UGBT、MOSFET - 單
IXDR30N120參考圖片

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IXDR30N120

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
50A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
60A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.9V @ 15V，30A
功率 - 最大值
200W
開關能量
4.6mJ（開），3.4mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
120nC
25°C 時 Td（開/關）值
-
測試條件
600V，30A，47 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
600V，30A，47 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
ISOPLUS247?
供應商器件封裝
ISOPLUS247?
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 10A 55W DPAK
暫無價格
參考庫存:43396
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 390V 20A 125W DPAK
暫無價格
參考庫存:43404
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 300W TO247AD
暫無價格
參考庫存:43412
UGBT、MOSFET - 單
IC DISCRETE 600V TO252-3
暫無價格
參考庫存:43420
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 50A 200W TO247AD
暫無價格
參考庫存:43428
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