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UGBT、MOSFET - 單
IXYH100N65C3參考圖片

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IXYH100N65C3

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 650V 200A 830W TO247
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
GenX3?,XPT?
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
200A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
420A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.3V @ 15V,70A
功率 - 最大值
830W
開關能量
2.15mJ(開),840μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
164nC
25°C 時 Td(開/關)值
28ns/106ns
測試條件
400V,50A,3 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
400V,50A,3 歐姆,15V
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247(IXYH)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IXYH100N65C3的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 100A 625W TO247
暫無價格
參考庫存:3387
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 440V 15A 107W D2PAK3
暫無價格
參考庫存:38385
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 400V ECH8
暫無價格
參考庫存:38393
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 62W D2PAK
暫無價格
參考庫存:38401
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 430V 21A 150W TO252AA
暫無價格
參考庫存:38409
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