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UGBT、MOSFET - 單
HGTP7N60A4-F102參考圖片

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HGTP7N60A4-F102

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
34A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
56A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，7A
功率 - 最大值
125W
開關能量
55μJ（開），150μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
60nC
25°C 時 Td（開/關）值
11ns/100ns
測試條件
390V，7A，25 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
390V，7A，25 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
暫無價格
參考庫存:7701
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 30A 167W TO220
暫無價格
參考庫存:7483
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
暫無價格
參考庫存:6998
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 380A 1630W TO264
暫無價格
參考庫存:41919
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 80A 268W TO-247AB
暫無價格
參考庫存:14556
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