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UGBT、MOSFET - 單
IXYT55N120A4HV參考圖片

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IXYT55N120A4HV

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
175A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
350A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.8V @ 15V，55A
功率 - 最大值
650W
開關能量
2.3mJ（開），5.3mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
110nC
25°C 時 Td（開/關）值
23ns/300ns
測試條件
600V，40A，5 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
35ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應商器件封裝
TO-268HV
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
暫無價格
參考庫存:36561
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
暫無價格
參考庫存:36569
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 69A 417W TO247
暫無價格
參考庫存:1551
UGBT、MOSFET - 單
400V 30A IGNITION IGBT
暫無價格
參考庫存:36587
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY TO-22
暫無價格
參考庫存:36595
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