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UGBT、MOSFET - 單
IXYA30N120A4HV參考圖片

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IXYA30N120A4HV

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GenX4?,XPT?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
106A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
184A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
1.9V @ 15V,25A
功率 - 最大值
500W
開關能量
4mJ(開),3.4mJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
57nC
25°C 時 Td(開/關)值
15ns/235ns
測試條件
960V,25A,5 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
42ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263HV
商品其它信息
優勢價格,IXYA30N120A4HV的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
暫無價格
參考庫存:43852
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 48A 150W TO220AB
暫無價格
參考庫存:43860
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 170W TO247-3
暫無價格
參考庫存:43868
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 78A 370W TO220AB
暫無價格
參考庫存:43876
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT PT-HIFREQUENCY ISOPLUS
暫無價格
參考庫存:43900
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