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UGBT、MOSFET - 單
STGD5H60DF參考圖片

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STGD5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
10A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
20A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.95V @ 15V，5A
功率 - 最大值
83W
開關能量
56μJ（開），78.5μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
43nC
25°C 時 Td（開/關）值
30ns/140ns
測試條件
400V，5A，47 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
134.5ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
DPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 160W TO220AB
暫無價格
參考庫存:43068
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 500W TO264
暫無價格
參考庫存:43076
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 12A 68W TO263-3
暫無價格
參考庫存:43084
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 90A 270W TO247
暫無價格
參考庫存:43092
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 54A 167W TO247
暫無價格
參考庫存:43100
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