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UGBT、MOSFET - 單
IXXN200N65A4參考圖片

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IXXN200N65A4

  • IXYS
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  • IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX4?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
440A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
1200A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.8V @ 15V，200A
功率 - 最大值
1250W
開關能量
8.8mJ（開），6.7mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
736nC
25°C 時 Td（開/關）值
140ns/1.04μs
測試條件
400V，100A，1 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
160ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商器件封裝
SOT-227B
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 460W PLUS247
暫無價格
參考庫存:7566
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 63A 290W TO247
暫無價格
參考庫存:4753
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
暫無價格
參考庫存:39581
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 5A TO263
暫無價格
參考庫存:39589
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:39597
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