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IGBT - 陣列

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FII30-12E

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
NPT
配置
半橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
33A
功率 - 最大值
150W
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.9V @ 15V,20A
電流 - 集電極截止(最大值)
200μA
不同Vce 時的輸入電容(Cies)
1.2nF @ 25V
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
i4-Pac?-5
供應商器件封裝
ISOPLUS i4-PAC?
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
IGBT - 陣列
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
暫無價格
參考庫存:43231
IGBT - 陣列
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
暫無價格
參考庫存:43239
IGBT - 陣列
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
暫無價格
參考庫存:43247
IGBT - 陣列
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
暫無價格
參考庫存:43255
IGBT - 陣列
IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD
暫無價格
參考庫存:43263
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