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FET，MOSFET - 陣列

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APTM10DHM09T3G

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
POWER MOS V?
零件狀態
停產
FET 類型
2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能
標準
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
139A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
10 毫歐 @ 69.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
350nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
9875pF @ 25V
功率 - 最大值
390W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SP3
供應商器件封裝
SP3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:37396
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO
暫無價格
參考庫存:37404
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:37412
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
暫無價格
參考庫存:37420
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3
暫無價格
參考庫存:37428
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