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FET，MOSFET - 陣列
SI7911DN-T1-GE3參考圖片

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SI7911DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
2 個 P 溝道（雙）
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4.2A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
51 毫歐 @ 5.7A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
15nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.3W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8 雙
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8 雙
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AA
暫無價格
參考庫存:50104
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO
暫無價格
參考庫存:50112
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
暫無價格
參考庫存:50120
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A
暫無價格
參考庫存:50128
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:50152
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