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FET，MOSFET - 陣列
SI4500BDY-T1-GE3參考圖片

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SI4500BDY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 和 P 溝道，共漏
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6.6A，3.8A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
20 毫歐 @ 9.1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
17nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.3W
工作溫度
1.3W
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝
8-SO
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN
暫無價格
參考庫存:16346
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參考庫存:16354
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