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FET,MOSFET - 陣列
SI4966DY-T1-E3參考圖片

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SI4966DY-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
2 N-通道(雙)
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
-
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
25 毫歐 @ 7.1A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
50nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
2W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝
8-SO
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
暫無價格
參考庫存:54144
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
暫無價格
參考庫存:54226
FET,MOSFET - 陣列
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
暫無價格
參考庫存:54282
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
暫無價格
參考庫存:54298
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V SC89-6
暫無價格
參考庫存:54306
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