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FET,MOSFET - 陣列
SI4910DY-T1-GE3參考圖片

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SI4910DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
2 N-通道(雙)
FET 功能
標準
漏源電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
7.6A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
27 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
32nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
855pF @ 20V
功率 - 最大值
3.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝
8-SO
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
暫無價格
參考庫存:48920
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363
暫無價格
參考庫存:613096
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363
暫無價格
參考庫存:48930
FET,MOSFET - 陣列
40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
暫無價格
參考庫存:48954
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
暫無價格
參考庫存:25648
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